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C8051F380/1/2/3/4/5/6/7/C
Table 5.7. Internal High-Frequency Oscillator Electrical Characteristics
V DD = 2.7 to 3.6 V; T A = –40 to +85 °C unless otherwise specified; Using factory-calibrated settings.
Parameter
Oscillator Frequency
Oscillator Supply Current
(from V DD )
Test Condition
IFCN = 11b
25 °C, V DD = 3.0 V,
OSCICN.7 = 1,
Min
47.3
—
Typ
48
900
Max
48.7
—
Unit
MHz
μA
OCSICN.5 = 0
Power Supply Sensitivity
Temperature Sensitivity
Constant Temperature
Constant Supply
—
—
110
25
—
—
ppm/V
ppm/°C
Table 5.8. Internal Low-Frequency Oscillator Electrical Characteristics
V DD = 2.7 to 3.6 V; T A = –40 to +85 °C unless otherwise specified; Using factory-calibrated settings.
Parameter
Oscillator Frequency
Oscillator Supply Current
(from V DD )
Power Supply Sensitivity
Temperature Sensitivity
Test Condition
OSCLD = 11b
25 °C, V DD = 3.0 V,
OSCLCN.7 = 1
Constant Temperature
Constant Supply
Min
75
—
—
—
Typ
80
4
0.05
65
Max
85
—
—
—
Unit
kHz
μA
%/V
ppm/°C
Table 5.9. External Oscillator Electrical Characteristics
V DD = 2.7 to 3.6 V; T A = –40 to +85 °C unless otherwise specified.
Parameter
External Crystal Frequency
External CMOS Oscillator
Test Condition
Min
0.02
0
Typ
—
—
Max
30
48
Unit
MHz
MHz
Frequency
Rev. 1.4
41
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